描述:單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)相對于CVD系統(tǒng)增加了等離子發(fā)生器
品牌 | 其他品牌 | 升溫速度(達到最高溫) | 60/min |
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內(nèi)部尺寸 | φ100mm | 加熱方式 | 合金電阻絲 |
最大功率 | 3500kW | 控溫精度 | ±1℃℃ |
最高溫度 | 1200℃ | 價格區(qū)間 | 面議 |
儀器種類 | 管式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)
一、PECVD系統(tǒng)組成:
單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。
二、系統(tǒng)特點:
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小
4、單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高
5、廣泛應用于:各種薄膜的生長
三、系統(tǒng)組成
1、HGSK2-10-12DZ單溫區(qū)滑竿式管式爐
1.1、爐管尺寸:φ100*1800mm
1.2、爐管材質(zhì):石英玻璃
1.3、外型尺寸:1800*460*660mm
1.4、溫區(qū)數(shù)量:單溫區(qū)
1.5、設計溫度:1200℃
1.6、電源功率:AV200V\50Hz;3.5kw
1.7、滑軌材質(zhì):不銹鋼
1.8、滑動方式:手動不銹鋼滾珠軸承
1.9、控溫儀表:智能30段程序控溫儀表
1.10、控溫精度:±1℃
1.11、加熱區(qū)長度:400mm
1.12、控制方式:可控硅觸發(fā)控制
1.13、熱電偶:K型
1.14、安全措施:超溫、過壓、過流
1.15、真空密封:不銹鋼法蘭
2、射頻電源(等離子發(fā)生器)
2.1、功率范圍:0-500w
2.2、最大發(fā)射功率:200w
2.3、射頻寬度:0-600mm
2.4、射頻接口:50Ω N-TYPE
2.5、射頻工作頻率:13.56MHZ
2.6、電源:AC220v、50Hz
3、供氣系統(tǒng)
3.1、雙路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)
3.2、質(zhì)子流量計流量范圍可選
3.3、進出氣接口:標配雙卡套不銹鋼接頭
3.4、供氣系統(tǒng)壓力范圍:0.1-0.5MPa
3.5、混氣室:φ50*400mm
3.6、接口規(guī)格:φ6 1/4"
4、真空抽氣系統(tǒng):
4.1、真空泵FX-16
4.1.1、極限壓強:4*10-2Pa
4.1.2、進氣接口:KF25
4.1.3、電機轉(zhuǎn)速:1440RPM
4.1.4、抽氣速率:4L/S
4.1.5、電機功率:550w
4.2、電阻真空計ZDR-1
4.2.1、功率:25w
4.2.2、真空度范圍:0.1-10*5Pa
4.2.3、電阻硅:ZJ-52T
HGSK2-10-12DZ-PECVD單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)配置:
單溫區(qū)滑竿式管式爐一臺、射頻電源一套、兩路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)一套、抽真空系統(tǒng)一套